회사 소식 n형인 태양광 발전과 p-형 단일결정 실리콘 웨이퍼 사이의 주요한 차이

n형인 태양광 발전과 p-형 단일결정 실리콘 웨이퍼 사이의 주요한 차이

단결정성 실리콘 웨이퍼는 메탈로이드의 물성을 가지고 약한 전기 전도도를 가지고 있고 그들의 전기 전도도가 온도의 증가에 따라 증가합니다 ; 그들은 중요한 반도전형 재산을 가집니다. 극히 순수한 단일 결정 실리콘 웨이퍼에서 붕소에게 도핑하는 것 P형 실리콘 웨이퍼 반도체를 형성하기 위해 그것의 전도성을 증가시킬 수 있습니다 ; 도핑하면 인 또는 비소의 추종량은 n형 실리콘 웨이퍼 반도체를 형성하기 위해 또한 전기 전도도를 증가시킬 수 있습니다. 그러면 P형 실리콘 웨이퍼와 N 타입 실리콘 사이의 차이인 웨이퍼로 만듭니까?

p-형이고 n형 단일결정 실리콘 웨이퍼 사이의 3 주요한 차이가 있습니다 :
1. 도핑은 다릅니다 : 싱글 크리스탈 실리콘 내에 도핑된 인은 앤형이고 싱글 크리스탈 실리콘 내에 도핑된 붕소가 p 형입니다.
2. 다른 전도성 : 앤형은 전자전도입니다, p 형이 정공 전도입니다.
3. 다른 성능 : 더 n형이 인으로 도핑되었습니다, 더 많은 것이 전자를 자유롭게 하고, 전도성이 더 강하고,와 그 저항률을 낮춥니다. 더 많은 p-형의 붕소는 도핑됩니다, 더 많은 구멍이 디스플레이싱 실리콘에 의해 발생될 수 있고, 전도성이 더 강하고,와 그 저항률을 낮춥니다.

요즈음, 광 기전 공업에서 주류 제품은 P형 실리콘 웨이퍼입니다. P형 실리콘 웨이퍼의 제조 절차는 단순하고 비용이 낮습니다. n형 실리콘 웨이퍼는 보통 더 긴 소수 캐리어 삶을 가지고 셀 효율이 더 높게 만들어질 수 있지만, 그러나 과정이 더 복잡합니다. n형 실리콘 웨이퍼는 인 요소로 도핑됩니다, 인과 실리콘 사이의 호환성이 가난하고 로드를 당길 때 인의 분포가 평탄하지 않습니다. P형 실리콘 웨이퍼는 붕소 요소로 도핑됩니다. 붕소와 실리콘의 편석 계수는 동등하고 분산 균일성이 제어되기 쉽습니다.